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2SA1179N6-TB-E |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | ON Semiconductor | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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2SA1179N6-TB-E参数 产品类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路 说明：TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：150mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大）：- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：135 @ 1mA，6V 功率 - 最大：200mW 频率 - 转换：180MHz 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： D-Sub，D 形86303641BLF 接口 - I/O MAX7326AEG 接线座 - 接头，1900811 晶体管(BJT) FJV42MTF D-SubDBMZ5H5SN 显示器模块 - LSCE5745 陶瓷电容器10HV20B102K 热敏 - 散热器600703U01500G 功率，高于 2 安LY1-0-DC12 电路板衬垫，支座939-940 |
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